Информационные партнёры

Президент РФПравительство РФ Минпромторг

STE3526 Двуреакторный комплекс молекулярно-лучевой эпитаксии для роста гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6

Двухреакторный комплекс STE3526 разработан специально для выращивания гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6 с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводников в данных системах материалов.Областью применения установки МЛЭ STE3526 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных наноструктур на основе широкозонных материалов А2В6 (Cd(Zn)Se/ZnMgSSe) c использованием предварительно выращенных в А3В5-реакторе высококачественных буферных слоев GaAs.Особенностью построения комплекса является обеспечение ультрачистого сверхвысоковакуумного транспорта подложки из А3В5-реактора в реактор для выращивания соединений А2В6 для предотвращения неконтролируемых загрязнений ростового интерфейса на поверхности буферного слоя GaAs.

Предприятие:

Тип продукции:

Основные параметры и эксплуатационные характеристики: 

Предельный остаточный вакуум в камере роста после прогрева <5·10-11 ТоррМаксимальный рабочий диаметр подложки 100 мм или 3х2”Расстояние «источник-подложка» 135÷210 ммКонструкция приводов заслонок источников поворотный механизм на основе магнитного ввода вращения с безударным пневмоприводомМатериал лопастей заслонок тантал (стандартно); молибден, PBNКонструкция нагревательного элемента ростового манипулятора PBN/PG/PBNМаксимальная рабочая температура ростового манипулятора, не менее 900°СТемпература обезгаживания подложки в камере подготовки, не менее 650°СТемпература прогрева камеры роста, не менее 200°СПроизводительность ионных насосов:– ростовой камеры - 800 л/с– подготовительной камеры - 500 л/с– шлюзовой камеры - 300 л/сКлючевые преимущества:• идеология “lab to fab”, позволяющая перекрывать диапазон от фундаментальных исследований до пилотного производства гетероструктур• специализированные молекулярные источники Al (cold lip) для устойчивой работы и Ga (hot lip) для получения структур с малой плотностью овальных дефектов• вентильные источники материалов V и VI группы• оснащенность всей необходимой in-situ диагностической аппаратурой в базовой конфигурации• высокая динамика нагрева и охлаждения подложек благодаря особенностям узла нагрева ростового манипулятора• быстрый технологический старт, обеспеченный эффективной технической и технологической поддержкой• удобство работы и регламентного обслуживания 

Предприятие разработчик: 
ЗАО "НТО"
Предприятие изготовитель: 
ЗАО "НТО"
Предприятие калькодержатель: 
ЗАО "НТО"
Потребители: 
ФТИ им. Иоффе РАН
Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Состояние производства:

© 2019 МНИИРИП. Все права защищены.

Разработка сайта: OXiTON