Информационные партнёры

Президент РФПравительство РФ Минпромторг

STE ICP Универсальная технологическая платформа для проведения процессов плазмохимического травления и осаждения

Серия установок STE ICP представлена в двух основных модификациях: STE ICPe (плазмохимическое травление) и STE ICPd (плазмохимическое осаждение).
Диаметр обрабатываемых пластин до 200 мм, с возможностью использования образцов произвольной формы, что позволяет использовать данные системы как для проведения интенсивных исследований и разработок, так и для
мелкосерийного выпуска продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. Конструктивно серия разработана с учетом возможности встраивания в кластерную вакуумно-технологическую линию.

В STE ICPe68L/STE ICPd81L предусмотрен загрузочный шлюз, обеспечивающий полное отсечение реактора от рабочей зоны и полную автоматизацию управления системой. Возможна поставка установок упрощенной конфигурации с использованием вместо шлюза бокса инертной атмосферы.

Предприятие:

Тип продукции:

Основные параметры и эксплуатационные характеристики: 

STE ICPe68LАвтоматизированные системы для проведения процессов плазмохимического травления в комбинированной плазме емкостного и индуктивного разрядаВ серии установок STE ICPe полностью реализованы все современные особенности процессов контролируемого плазмохимического травления полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. В установках реализованы два типа возбуждения плазмы: емкостная (плоский водоохлаждаемый электрод) и индуктивная (плоский ICP-источник).Главной отличительной особенностью систем является возможность комбинировать два режима плазмохимического травления: реактивное ионное травление и травление в индуктивно связанной плазме. Генераторы имеют автоматическое согласование между собой, что обеспечивает получение устойчивых режимов горения плазмы в широком диапазоне используемых мощностей. Температурный диапазон для травления: -70°C (хладагент), +80°C (горячая вода).Конструкция установки обеспечивает возможность замены верхнего ICP электрода металлическим диском с отверстиями для подачи газа, что позволяет переконфигурировать установку травления в ICP и RIE плазме в упрощенный вариант установки травления в плазме только емкостного разряда и наоборот дооснастить упрощенный вариант ICP электродом.STE ICPd81LАвтоматизированные системы для проведения процессов плазмохимического осаждения диэлектриков (SiNx, SiO2 и т.п.) в плазме индуктивного разряда.В качестве возбудителя плазмы используется плоский индуктивный источник с автоматическим согласованием. Образцы находятся на нагреваемом столике, к которому может быть подведен переменный потенциал, фиксированная частота которого может быть выбрана (на этапе заказа) из диапазона 300÷1000 кГц.Использование низкочастотного потенциала на нагревательном столике в режиме индуктивного возбуждения пластин дает возможность регулировать коэффициент натяжения пленок диэлектриков во время их осаждения.

Предприятие разработчик: 
ЗАО "НТО"
Предприятие изготовитель: 
ЗАО "НТО"
Предприятие калькодержатель: 
ЗАО "НТО"
Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Состояние производства:

© 2019 МНИИРИП. Все права защищены.

Разработка сайта: OXiTON