Информационные партнёры

Президент РФПравительство РФ Минпромторг

«НТО»

«Научное и технологическое оборудование»

STE RTP150 Установка быстрой температурной обработки полупроводниковых пластин в вакууме, управляемой газовой среде

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Специальная конструкция камеры, выполненной из алюминия, позволяет проводить процессы температурной обработки при экстремально высоких температурах (до 1300°С) в сочетании с длительными временем отжига (до 60 мин).
Установка ориентирована как на интенсивные исследования и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. Максимальный диаметр обрабатываемой пластины
составляет 150 мм.

STE RTA100 Установка быстрой температурной обработки полупроводниковых пластин в инертной среде

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Установка STE RTA100 ориентирована как на интенсивные исследования и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. Максимальный диаметр обрабатываемойпластины составляет 100 мм.

MS105 Универсальная система осаждения покрытий в вакууме методом магнетронного распыления

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Благодаря гибкой конфигурации и специально разработанной конструкции нагревателя установка STE MS105 дает возможность проводить процессы напыления пленок металлов, магнитных материалов и многокомпонентных оксидов при температуре на подложке до 900°С, используя магнетронные мишени в качестве источников материалов. Максимальныйдиаметр подложки 150 мм.Конструкция установки позволяет произвести монтаж через стену чистого помещения, при этом в чистой комнате располагается интерфейс системы управления и шлюз загрузки/выгрузки держателей образцов.

STE EB71 Автоматизированная станция электронно-лучевого напыления высококачественных тонкопленочных композиций в сверхвысоком вакууме

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Установка разрабатывалась в идеологии “lab to fab” и ориентирована как на интенсивные исследования
и разработки, так и на мелкосерийный выпуск продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. В конструкцию также заложена возможность комплексирования и встраивания в состав роботизованных вакуумно-технологических кластерных систем.
Максимальное количество напыляемых пластин в одном процессе 3х3” или 6х2”, которые устанавливаются на держателе со сферическим профилем, учитывающим особенности процесса “lift-off”.

STE ICP Универсальная технологическая платформа для проведения процессов плазмохимического травления и осаждения

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Серия установок STE ICP представлена в двух основных модификациях: STE ICPe (плазмохимическое травление) и STE ICPd (плазмохимическое осаждение).
Диаметр обрабатываемых пластин до 200 мм, с возможностью использования образцов произвольной формы, что позволяет использовать данные системы как для проведения интенсивных исследований и разработок, так и для
мелкосерийного выпуска продукции в составе пилотной производственно-технологической линии. Конструктивно серия разработана с учетом возможности встраивания в кластерную вакуумно-технологическую линию.

STE3526 Двуреакторный комплекс молекулярно-лучевой эпитаксии для роста гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Двухреакторный комплекс STE3526 разработан специально для выращивания гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6 с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) полупроводников в данных системах материалов.Областью применения установки МЛЭ STE3526 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных наноструктур на основе широкозонных материалов А2В6 (Cd(Zn)Se/ZnMgSSe) c использованием предварительно выращенных в А3В5-реакторе высококачественных буферных слоев GaAs.Особ

STE35 Трехкамерная установка молекулярно-лучевой эпитаксии для роста традиционных полупроводниковых материалов A3B5

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

STE35 представляет собой современную технологическую платформу для прецизионного выращивания эпитаксиальных слоев на подложках диаметром до 100 мм, а также трех подложках диаметром 2” в одном процессе.Областью применения установки МЛЭ STE35 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное эксперименталь ное производство эпитаксиальных структур в режиме “lab to fab” в системах материалов InAlGaAsSb/GaAs или II-VI.Отличительной чертой конструкции является возможность корректировки ростовой геометрии в заметных пределах за счет значитель

STE3N Системы для высокотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии нитридов III группы

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Установки молекулярно-лучевой эпитаксии серии STE3N* специально разработаны с учетом специфики роста материалов A3N и обеспечивают чрезвычайно широкий технологический диапазон доступных ростовых параметров (эффективный поток азота, температура подложки, рабочий вакуум).

STE75 Универсальная компактная система молекулярно-лучевой эпитаксии

Предприятие:

Тип продукции:

Присутствует в Перечне ЭКБ: 
0

Универсальная компактная трехкамерная установка разработана для выращивания широкого спектра полупроводниковых соединений А3В5 и широкозонных соединений А2В6, а также в специальном исполнении — А3N, выполнена с учетом последних достижений в области молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников в данных системах материалов.Областью применения установки является широкий спектр НИР и НИОКР по приборной тематике, основанной на материалах А3В5/А2В6 и A3N.

«НТО»

Город:

Тип предприятия: 
Разработчик ЭКБ
Производитель ЭКБ
Разработчик РЭА
Веб-сайт организации: 
Подписка на RSS - «НТО»

© 2019 МНИИРИП. Все права защищены.

Разработка сайта: OXiTON